
VS-GT100TS065N Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: MODULES IGBT - IAP IGBT
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: INT-A-PAK IGBT
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 96 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 259 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 4118.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-GT100TS065N Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: MODULES IGBT - IAP IGBT, Packaging: Box, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Half Bridge Inverter, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 100A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: INT-A-PAK IGBT, IGBT Type: Trench Field Stop, Current - Collector (Ic) (Max): 96 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Power - Max: 259 W, Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA.
Інші пропозиції VS-GT100TS065N за ціною від 4621.92 грн до 4621.92 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
VS-GT100TS065N | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 55 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|