VS-GT100TS065N Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: MODULES IGBT - IAP IGBT
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Power - Max: 259 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 96 A
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: INT-A-PAK IGBT
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 100A
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: Half Bridge Inverter
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Box
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-GT100TS065N Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: MODULES IGBT - IAP IGBT, Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA, Power - Max: 259 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector (Ic) (Max): 96 A, IGBT Type: Trench Field Stop, Supplier Device Package: INT-A-PAK IGBT, NTC Thermistor: No, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 100A, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Configuration: Half Bridge Inverter, Input: Standard, Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: Module, Packaging: Box.
Інші пропозиції VS-GT100TS065N за ціною від 3476.72 грн до 5045.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
VS-GT100TS065N | Vishay Semiconductors |
IGBT Modules Modules IGBT - IAP IGBT |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| VS-GT100TS065N |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
IGBT Modules Modules IGBT - IAP IGBT
IGBT Modules Modules IGBT - IAP IGBT
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 5045.16 грн |
| 10+ | 4652.68 грн |
| 105+ | 3476.72 грн |