VS-GT100TS065N Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: MODULES IGBT - IAP IGBT
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: INT-A-PAK IGBT
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 96 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 259 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 4232.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-GT100TS065N Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: VISHAY - VS-GT100TS065N - IGBT-Modul, Halbbrücke, 96 A, 259 W, 175 °C, INT-A-PAK, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench], hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: -, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Schraubanschluss, euEccn: NLR, Verlustleistung: 259W, Bauform - Transistor: INT-A-PAK, Dauerkollektorstrom: 96A, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, IGBT-Konfiguration: Halbbrücke, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції VS-GT100TS065N за ціною від 3941.01 грн до 5798.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
VS-GT100TS065N | Виробник : Vishay Semiconductors |
IGBT Modules Modules IGBT - IAP IGBT |
на замовлення 34 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
VS-GT100TS065N | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - VS-GT100TS065N - IGBT-Modul, Halbbrücke, 96 A, 259 W, 175 °C, INT-A-PAK tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench] hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: - usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Schraubanschluss euEccn: NLR Verlustleistung: 259W Bauform - Transistor: INT-A-PAK Dauerkollektorstrom: 96A Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|