VS-GT100TS065N

VS-GT100TS065N Vishay General Semiconductor - Diodes Division


vs-gt100ts065n.pdf Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: MODULES IGBT - IAP IGBT
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: INT-A-PAK IGBT
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 96 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 259 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4118.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис VS-GT100TS065N Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: MODULES IGBT - IAP IGBT, Packaging: Box, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Half Bridge Inverter, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 100A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: INT-A-PAK IGBT, IGBT Type: Trench Field Stop, Current - Collector (Ic) (Max): 96 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Power - Max: 259 W, Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA.

Інші пропозиції VS-GT100TS065N за ціною від 4621.92 грн до 4621.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
VS-GT100TS065N VS-GT100TS065N Виробник : Vishay Semiconductors vs-gt100ts065n.pdf IGBT Modules Modules IGBT - IAP IGBT
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4621.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.