VS-GT150TS065S Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: IGBT MOD 650V 372A INTA-PAK IGBT
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.32V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: INT-A-PAK IGBT
IGBT Type: Trench
Current - Collector (Ic) (Max): 372 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 789 W
Current - Collector Cutoff (Max): 150 µA
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 6448.16 грн |
| 15+ | 5086.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-GT150TS065S Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: VISHAY - VS-GT150TS065S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 372 A, 789 W, 175 °C, INT-A-PAK, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench], hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: -, IGBT-Anschluss: Schraubanschluss, Verlustleistung: 789W, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024), Bauform - Transistor: INT-A-PAK, Dauerkollektorstrom: 372A, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, IGBT-Konfiguration: Halbbrücke, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 175°C.
Інші пропозиції VS-GT150TS065S
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
VS-GT150TS065S | VISHAY |
Description: VISHAY - VS-GT150TS065S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 372 A, 789 W, 175 °C, INT-A-PAK tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte euEccn: NLR rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench] hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: - IGBT-Anschluss: Schraubanschluss Verlustleistung: 789W SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) Bauform - Transistor: INT-A-PAK Dauerkollektorstrom: 372A Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
VS-GT150TS065S | Vishay Semiconductors |
IGBT Modules Modules IGBT - IAP IGBT |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| VS-GT150TS065S |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VS-GT150TS065S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 372 A, 789 W, 175 °C, INT-A-PAK
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: -
IGBT-Anschluss: Schraubanschluss
Verlustleistung: 789W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: INT-A-PAK
Dauerkollektorstrom: 372A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: VISHAY - VS-GT150TS065S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 372 A, 789 W, 175 °C, INT-A-PAK
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: -
IGBT-Anschluss: Schraubanschluss
Verlustleistung: 789W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: INT-A-PAK
Dauerkollektorstrom: 372A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| VS-GT150TS065S |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
IGBT Modules Modules IGBT - IAP IGBT
IGBT Modules Modules IGBT - IAP IGBT
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)