VS-GT180DA120U Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: IGBT MODULE 1200V 281A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 281 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1087 W
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.35 nF @ 25 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 3441.89 грн |
| 10+ | 2499.17 грн |
| 100+ | 2227.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-GT180DA120U Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: VISHAY - VS-GT180DA120U - IGBT-Modul, 281 A, 1.087 kW, 150 °C, SOT-227, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: -, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): -, Verlustleistung Pd: 1.087kW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.087kW, Bauform - Transistor: SOT-227, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Dauerkollektorstrom: 281A, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: -, productTraceability: No, DC-Kollektorstrom: 281A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції VS-GT180DA120U
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
VS-GT180DA120U | Vishay Semiconductors |
IGBT Modules 1200V, 180A Tch IGBT SOT-227 Bplr Tnstr |
на замовлення 517 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
VS-GT180DA120U | VISHAY |
Description: VISHAY - VS-GT180DA120U - IGBT-Modul, 281 A, 1.087 kW, 150 °C, SOT-227 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: - usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): - Verlustleistung Pd: 1.087kW euEccn: NLR Verlustleistung: 1.087kW Bauform - Transistor: SOT-227 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Dauerkollektorstrom: 281A Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: - productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 281A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 123 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| VS-GT180DA120U |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
IGBT Modules 1200V, 180A Tch IGBT SOT-227 Bplr Tnstr
IGBT Modules 1200V, 180A Tch IGBT SOT-227 Bplr Tnstr
на замовлення 517 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| VS-GT180DA120U |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VS-GT180DA120U - IGBT-Modul, 281 A, 1.087 kW, 150 °C, SOT-227
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: -
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): -
Verlustleistung Pd: 1.087kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.087kW
Bauform - Transistor: SOT-227
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 281A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: -
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 281A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
Description: VISHAY - VS-GT180DA120U - IGBT-Modul, 281 A, 1.087 kW, 150 °C, SOT-227
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: -
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): -
Verlustleistung Pd: 1.087kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.087kW
Bauform - Transistor: SOT-227
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 281A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: -
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 281A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)