VS-GT200TS065N Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: MODULES IGBT - IAP IGBT
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Box
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
Power - Max: 517 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 193 A
IGBT Type: Trench
Supplier Device Package: INT-A-PAK IGBT
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 200A
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: Half Bridge Inverter
Input: Standard
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-GT200TS065N Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: MODULES IGBT - IAP IGBT, Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: Module, Packaging: Box, Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA, Power - Max: 517 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector (Ic) (Max): 193 A, IGBT Type: Trench, Supplier Device Package: INT-A-PAK IGBT, NTC Thermistor: No, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 200A, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Configuration: Half Bridge Inverter, Input: Standard.
Інші пропозиції VS-GT200TS065N за ціною від 4118.43 грн до 6439.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
VS-GT200TS065N | Vishay Semiconductors |
IGBT Modules Modules IGBT - IAP IGBT |
на замовлення 60 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| VS-GT200TS065N |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
IGBT Modules Modules IGBT - IAP IGBT
IGBT Modules Modules IGBT - IAP IGBT
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 6439.85 грн |
| 10+ | 5562.50 грн |
| 105+ | 4118.43 грн |