VS-GT200TS065N Vishay Semiconductors
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 5611.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-GT200TS065N Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - VS-GT200TS065N - IGBT-Modul, Halbbrücke, 193 A, 517 W, 175 °C, INT-A-PAK, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench], hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: -, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Schraubanschluss, euEccn: NLR, Verlustleistung: 517W, Bauform - Transistor: INT-A-PAK, Dauerkollektorstrom: 193A, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, IGBT-Konfiguration: Halbbrücke, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції VS-GT200TS065N за ціною від 5744.75 грн до 9293.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
VS-GT200TS065N | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
 Description: MODULES IGBT - IAP IGBTPackaging: Box Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 200A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: INT-A-PAK IGBT IGBT Type: Trench Current - Collector (Ic) (Max): 193 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Power - Max: 517 W Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
VS-GT200TS065N | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - VS-GT200TS065N - IGBT-Modul, Halbbrücke, 193 A, 517 W, 175 °C, INT-A-PAK tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench] hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: - usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Schraubanschluss euEccn: NLR Verlustleistung: 517W Bauform - Transistor: INT-A-PAK Dauerkollektorstrom: 193A Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|