Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > VS-GT200TS065S
VS-GT200TS065S

VS-GT200TS065S Vishay General Semiconductor - Diodes Division

vs-gt200ts065s.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: MODULES IGBT - IAP IGBT
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.32V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: INT-A-PAK IGBT
IGBT Type: Trench
Current - Collector (Ic) (Max): 476 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 1000 W
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+7061.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис VS-GT200TS065S Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: VISHAY - VS-GT200TS065S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 476 A, 1 kW, 175 °C, INT-A-PAK, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench], hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: -, IGBT-Anschluss: Schraubanschluss, Verlustleistung: 1kW, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024), Bauform - Transistor: INT-A-PAK, Dauerkollektorstrom: 476A, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, IGBT-Konfiguration: Halbbrücke, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

Інші пропозиції VS-GT200TS065S за ціною від 6512.98 грн до 8354.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
VS-GT200TS065S VS-GT200TS065S Vishay Semiconductors vs-gt200ts065s.pdf IGBT Modules Modules IGBT - IAP IGBT
на замовлення 15 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+8354.34 грн
10+6512.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT200TS065S VS-GT200TS065S VISHAY 4334704.pdf Description: VISHAY - VS-GT200TS065S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 476 A, 1 kW, 175 °C, INT-A-PAK
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: -
IGBT-Anschluss: Schraubanschluss
Verlustleistung: 1kW
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: INT-A-PAK
Dauerkollektorstrom: 476A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT200TS065S vs-gt200ts065s.pdf
VS-GT200TS065S
Виробник: Vishay Semiconductors
IGBT Modules Modules IGBT - IAP IGBT
на замовлення 15 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+8354.34 грн
10+6512.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT200TS065S 4334704.pdf
VS-GT200TS065S
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VS-GT200TS065S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 476 A, 1 kW, 175 °C, INT-A-PAK
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: -
IGBT-Anschluss: Schraubanschluss
Verlustleistung: 1kW
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: INT-A-PAK
Dauerkollektorstrom: 476A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.