VS-GT200TS065S Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: MODULES IGBT - IAP IGBT
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Power - Max: 1000 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 476 A
IGBT Type: Trench
Supplier Device Package: INT-A-PAK IGBT
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.32V @ 15V, 200A
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: Half Bridge Inverter
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Box
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-GT200TS065S Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: VISHAY - VS-GT200TS065S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 476 A, 1 kW, 175 °C, INT-A-PAK, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench], hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: -, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Schraubanschluss, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1kW, Bauform - Transistor: INT-A-PAK, Dauerkollektorstrom: 476A, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, IGBT-Konfiguration: Halbbrücke, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції VS-GT200TS065S
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
VS-GT200TS065S | Vishay Semiconductors |
IGBT Modules Modules IGBT - IAP IGBT |
на замовлення 27 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
VS-GT200TS065S | VISHAY |
Description: VISHAY - VS-GT200TS065S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 476 A, 1 kW, 175 °C, INT-A-PAK tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench] hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: - usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Schraubanschluss euEccn: NLR Verlustleistung: 1kW Bauform - Transistor: INT-A-PAK Dauerkollektorstrom: 476A Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| VS-GT200TS065S |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
IGBT Modules Modules IGBT - IAP IGBT
IGBT Modules Modules IGBT - IAP IGBT
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| VS-GT200TS065S |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VS-GT200TS065S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 476 A, 1 kW, 175 °C, INT-A-PAK
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: -
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Schraubanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1kW
Bauform - Transistor: INT-A-PAK
Dauerkollektorstrom: 476A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: VISHAY - VS-GT200TS065S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 476 A, 1 kW, 175 °C, INT-A-PAK
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: -
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Schraubanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1kW
Bauform - Transistor: INT-A-PAK
Dauerkollektorstrom: 476A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)