VS-GT250SA60S Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 600V 359A 750W SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.16V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 359 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 750 W
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 24.2 nF @ 25 V
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2885.98 грн |
| 10+ | 2073.63 грн |
| 160+ | 1879.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-GT250SA60S Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: VISHAY - VS-GT250SA60S - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 359 A, 750 W, 175 °C, SOT-227, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: Trench-Transistor, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: -, Dauer-Kollektorstrom: 359A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, euEccn: NLR, Verlustleistung: 750W, Bauform - Transistor: SOT-227, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V, IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції VS-GT250SA60S за ціною від 1910.76 грн до 3568.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
VS-GT250SA60S | Виробник : Vishay |
IGBT Modules Modules IGBT - SOT-227 IGBT |
на замовлення 236 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
VS-GT250SA60S | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - VS-GT250SA60S - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 359 A, 750 W, 175 °C, SOT-227 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench-Transistor hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: - Dauer-Kollektorstrom: 359A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen euEccn: NLR Verlustleistung: 750W Bauform - Transistor: SOT-227 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| VS-GT250SA60S | Виробник : Vishay |
Insulated Gate Bipolar Transistor |
товару немає в наявності |