VS-GT300YH120N Vishay Semiconductors
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 22564.39 грн |
| 12+ | 18705.92 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
31-40 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-GT300YH120N Vishay Semiconductors
Description: IGBT MODULE 1200V 341A INT-A-PAK, Packaging: Bulk, Package / Case: Double INT-A-PAK (3 + 8), Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Half Bridge, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.17V @ 15V, 300A (Typ), NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: Double INT-A-PAK, IGBT Type: Trench, Current - Collector (Ic) (Max): 341 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 1042 W, Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 36 nF @ 30 V.
Інші пропозиції VS-GT300YH120N
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
VS-GT300YH120N | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
 Description: IGBT MODULE 1200V 341A INT-A-PAKPackaging: Bulk Package / Case: Double INT-A-PAK (3 + 8) Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.17V @ 15V, 300A (Typ) NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Double INT-A-PAK IGBT Type: Trench Current - Collector (Ic) (Max): 341 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 1042 W Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 36 nF @ 30 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 12 шт В кошику од. на суму грн. |
| VS-GT300YH120N | VISHAY |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 300A; Trench Technology: Trench Collector current: 300A Case: Dual INT-A-Pak Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 720A Type of semiconductor module: IGBT Mechanical mounting: screw Max. off-state voltage: 1.2kV Electrical mounting: FASTON connectors; screw Semiconductor structure: diode/transistor Topology: MOSFET half-bridge + serial diodes |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| VS-GT300YH120N |
|
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: IGBT MODULE 1200V 341A INT-A-PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: Double INT-A-PAK (3 + 8)
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.17V @ 15V, 300A (Typ)
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Double INT-A-PAK
IGBT Type: Trench
Current - Collector (Ic) (Max): 341 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1042 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 36 nF @ 30 V
Description: IGBT MODULE 1200V 341A INT-A-PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: Double INT-A-PAK (3 + 8)
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.17V @ 15V, 300A (Typ)
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Double INT-A-PAK
IGBT Type: Trench
Current - Collector (Ic) (Max): 341 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1042 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 36 nF @ 30 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику
од. на суму грн.
| VS-GT300YH120N |
|
Виробник: VISHAY
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 300A; Trench
Technology: Trench
Collector current: 300A
Case: Dual INT-A-Pak
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 720A
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: MOSFET half-bridge + serial diodes
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 300A; Trench
Technology: Trench
Collector current: 300A
Case: Dual INT-A-Pak
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 720A
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: MOSFET half-bridge + serial diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.