VS-GT300YH120N

VS-GT300YH120N Vishay Semiconductors


vs-gt300yh120n.pdf Виробник: Vishay Semiconductors
IGBT Modules Output & SW Modules - DIAP IGBT
на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+14743.80 грн
12+13172.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис VS-GT300YH120N Vishay Semiconductors

Description: IGBT MOD 1200V 341A INT-A-PAK, Packaging: Bulk, Package / Case: Double INT-A-PAK (3 + 8), Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Half Bridge, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.17V @ 15V, 300A (Typ), NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: Double INT-A-PAK, IGBT Type: Trench, Current - Collector (Ic) (Max): 341 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 1042 W, Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 36 nF @ 30 V.

Інші пропозиції VS-GT300YH120N

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
VS-GT300YH120N Виробник : Vishay vs-gt300yh120n.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 400A 1250000mW 11-Pin Double INT-A-PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT300YH120N VS-GT300YH120N Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-gt300yh120n.pdf Description: IGBT MOD 1200V 341A INT-A-PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: Double INT-A-PAK (3 + 8)
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.17V @ 15V, 300A (Typ)
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Double INT-A-PAK
IGBT Type: Trench
Current - Collector (Ic) (Max): 341 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1042 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 36 nF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT300YH120N Виробник : VISHAY vs-gt300yh120n.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 300A; Trench
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: MOSFET half-bridge + serial diodes
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 300A
Case: Dual INT-A-Pak
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 720A
Technology: Trench
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.