Продукція > VISHAY > VS-GT50TP60N
VS-GT50TP60N

VS-GT50TP60N Vishay


vsgt50tp60n.pdf Виробник: Vishay
Trans IGBT Module N-CH 600V 85A 208000mW 7-Pin INT-A-PAK
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис VS-GT50TP60N Vishay

Description: IGBT MOD 600V 85A 208W INT-A-PAK, Packaging: Bulk, Package / Case: INT-A-PAK (3 + 4), Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Half Bridge, Operating Temperature: 175°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: INT-A-PAK, IGBT Type: Trench, Current - Collector (Ic) (Max): 85 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Power - Max: 208 W, Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.03 nF @ 30 V.

Інші пропозиції VS-GT50TP60N

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
VS-GT50TP60N Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GT50TP60N.pdf Description: IGBT MOD 600V 85A 208W INT-A-PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: INT-A-PAK (3 + 4)
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: INT-A-PAK
IGBT Type: Trench
Current - Collector (Ic) (Max): 85 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 208 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.03 nF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT50TP60N Виробник : Vishay Semiconductors VS-GT50TP60N.pdf IGBT Modules Output & SW Modules - IAP IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.