VS-GT80DA120U Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: IGBT MOD 1200V 139A 658W SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.55V @ 15V, 80A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227
IGBT Type: Trench
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 139 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 658 W
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.4 nF @ 25 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2394.39 грн |
| 10+ | 1709.99 грн |
| 100+ | 1521.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-GT80DA120U Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: IGBT MOD 1200V 139A 658W SOT-227, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Single, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.55V @ 15V, 80A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: SOT-227, IGBT Type: Trench, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 139 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 658 W, Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.4 nF @ 25 V.
Інші пропозиції VS-GT80DA120U
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
VS-GT80DA120U | Vishay Semiconductors |
IGBT Modules 1200V, 80A Tch IGBT SOT-227 Bplr Tnstr |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| VS-GT80DA120U |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
IGBT Modules 1200V, 80A Tch IGBT SOT-227 Bplr Tnstr
IGBT Modules 1200V, 80A Tch IGBT SOT-227 Bplr Tnstr
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.



