VS-GT80DA120U Vishay Semiconductors
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2554.21 грн |
| 10+ | 1923.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-GT80DA120U Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - VS-GT80DA120U - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 139 A, 658 W, 150 °C, SOT-227, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: Trench-Transistor, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: -, Dauer-Kollektorstrom: 139A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, euEccn: NLR, Verlustleistung: 658W, Bauform - Transistor: SOT-227, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції VS-GT80DA120U за ціною від 1717.01 грн до 2710.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
VS-GT80DA120U | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
 Description: IGBT MOD 1200V 139A 658W SOT227Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.55V @ 15V, 80A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: SOT-227 IGBT Type: Trench Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 139 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 658 W Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.4 nF @ 25 V |
на замовлення 160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
VS-GT80DA120U | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - VS-GT80DA120U - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 139 A, 658 W, 150 °C, SOT-227 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench-Transistor hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: - Dauer-Kollektorstrom: 139A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen euEccn: NLR Verlustleistung: 658W Bauform - Transistor: SOT-227 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 134 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
VS-GT80DA120U | Виробник : Vishay |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 139A 658W 4-Pin SOT-227 |
товару немає в наявності |