VS-GT80DA120U Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: IGBT MOD 1200V 139A 658W SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.55V @ 15V, 80A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227
IGBT Type: Trench
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 139 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 658 W
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.4 nF @ 25 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2861.64 грн |
| 10+ | 2053.59 грн |
| 100+ | 1748.70 грн |
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Технічний опис VS-GT80DA120U Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: VISHAY - VS-GT80DA120U - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 139 A, 658 W, 150 °C, SOT-227, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: Trench-Transistor, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: -, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Verlustleistung: 658W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: SOT-227, Dauerkollektorstrom: 139A, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції VS-GT80DA120U
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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VS-GT80DA120U | VISHAY |
Description: VISHAY - VS-GT80DA120U - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 139 A, 658 W, 150 °C, SOT-227 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte euEccn: NLR rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench-Transistor hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: - IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Verlustleistung: 658W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-227 Dauerkollektorstrom: 139A Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 108 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| VS-GT80DA120U |
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Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VS-GT80DA120U - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 139 A, 658 W, 150 °C, SOT-227
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Transistormontage: Platte
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IGBT-Technologie: Trench-Transistor
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Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: -
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Verlustleistung: 658W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-227
Dauerkollektorstrom: 139A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: VISHAY - VS-GT80DA120U - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 139 A, 658 W, 150 °C, SOT-227
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Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: -
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Verlustleistung: 658W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-227
Dauerkollektorstrom: 139A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)