VS-GT80DA120U

VS-GT80DA120U Vishay Semiconductors


vs-gt80da120u.pdf Виробник: Vishay Semiconductors
IGBT Modules 1200V, 80A Tch IGBT SOT-227 Bplr Tnstr
на замовлення 172 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2554.21 грн
10+1923.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис VS-GT80DA120U Vishay Semiconductors

Description: VISHAY - VS-GT80DA120U - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 139 A, 658 W, 150 °C, SOT-227, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: Trench-Transistor, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: -, Dauer-Kollektorstrom: 139A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, euEccn: NLR, Verlustleistung: 658W, Bauform - Transistor: SOT-227, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції VS-GT80DA120U за ціною від 1717.01 грн до 2710.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
VS-GT80DA120U VS-GT80DA120U Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-gt80da120u.pdf Description: IGBT MOD 1200V 139A 658W SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.55V @ 15V, 80A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227
IGBT Type: Trench
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 139 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 658 W
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.4 nF @ 25 V
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2702.66 грн
10+1929.96 грн
100+1717.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT80DA120U VS-GT80DA120U Виробник : VISHAY 3973127.pdf Description: VISHAY - VS-GT80DA120U - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 139 A, 658 W, 150 °C, SOT-227
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: -
Dauer-Kollektorstrom: 139A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
euEccn: NLR
Verlustleistung: 658W
Bauform - Transistor: SOT-227
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2710.77 грн
5+2596.80 грн
10+2482.02 грн
50+2198.91 грн
100+1931.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT80DA120U VS-GT80DA120U Виробник : Vishay vs-gt80da120u.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 139A 658W 4-Pin SOT-227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.