
VS-MBRB1035TRR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE SCHOTTKY 35V 10A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 570 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 35 V
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-MBRB1035TRR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 35V 10A TO263AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK), Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 570 mV @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 35 V.
Інші пропозиції VS-MBRB1035TRR-M3
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
VS-MBRB1035TRR-M3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |