VS-MBRD660CT-M3 Vishay Semiconductors
на замовлення 12350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 54.9 грн |
10+ | 47.08 грн |
75+ | 32.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-MBRD660CT-M3 Vishay Semiconductors
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V 3A DPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A, Supplier Device Package: D-PAK (TO-252AA), Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 3 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 50 V.
Інші пропозиції VS-MBRD660CT-M3
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
VS-MBRD660CT-M3 Код товару: 159923 |
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі |
товар відсутній
|
|||
VS-MBRD660CT-M3 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V 3A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A Supplier Device Package: D-PAK (TO-252AA) Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 50 V |
товар відсутній |