VS-MURB820HM3 Vishay Semiconductors
на замовлення 481 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 97.36 грн |
10+ | 78.31 грн |
100+ | 52.74 грн |
500+ | 44.66 грн |
1000+ | 42.73 грн |
2000+ | 42.06 грн |
5000+ | 40.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-MURB820HM3 Vishay Semiconductors
Description: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 35 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 975 mV @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V.
Інші пропозиції VS-MURB820HM3
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
VS-MURB820HM3 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 975 mV @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V |
товар відсутній |