VS-MURB820HM3 Vishay Semiconductors
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 110.84 грн |
| 10+ | 89.15 грн |
| 100+ | 60.04 грн |
| 500+ | 50.85 грн |
| 1000+ | 47.12 грн |
| 2000+ | 46.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-MURB820HM3 Vishay Semiconductors
Description: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 35 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 975 mV @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції VS-MURB820HM3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
VS-MURB820HM3 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
 Description: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 975 mV @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |