VS-QA100FA10 Vishay Semiconductors
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1368.61 грн |
| 10+ | 1173.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-QA100FA10 Vishay Semiconductors
Description: POWER MODULE, GEN2 TRENCH MOS BA, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Diode Configuration: 2 Independent, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A, Supplier Device Package: SOT-227, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.03 V @ 50 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 800 µA @ 100 V.
Інші пропозиції VS-QA100FA10 за ціною від 935.67 грн до 1619.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
VS-QA100FA10 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
 Description: POWER MODULE, GEN2 TRENCH MOS BAPackaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 2 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A Supplier Device Package: SOT-227 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.03 V @ 50 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 800 µA @ 100 V |
на замовлення 156 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|