VS-SC120FA65 Vishay
Виробник: VishaySchottky Diodes & Rectifiers SOT-227 Silicon Carbide Schottky Barrier Diode, 650 V, 120 A
на замовлення 160 шт:
термін постачання 161-170 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 4872.12 грн |
| 10+ | 4511.56 грн |
| 25+ | 3796.59 грн |
| 50+ | 3670.09 грн |
| 100+ | 3518.28 грн |
| 250+ | 3366.48 грн |
| 480+ | 3257.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-SC120FA65 Vishay
Description: MODULES RECTIFIERS - SOT-227 SIC, Packaging: Strip, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 2 Independent, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A, Supplier Device Package: SOT-227, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.59 V @ 60 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 650 V.
Інші пропозиції VS-SC120FA65
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
VS-SC120FA65 | Виробник : Vishay |
Description: MODULES RECTIFIERS - SOT-227 SIC Packaging: Strip Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 2 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A Supplier Device Package: SOT-227 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.59 V @ 60 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 650 V |
товару немає в наявності |
|
| VS-SC120FA65 | Виробник : VISHAY |
Category: Diode modules Description: Module: diode; double independent; 650V; If: 120A; SOT227B; screw Case: SOT227B Features of semiconductor devices: Schottky Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Technology: SiC Type of semiconductor module: diode Max. off-state voltage: 650V Load current: 120A Semiconductor structure: double independent Max. forward impulse current: 340A |
товару немає в наявності |