VS-SC160FA120 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE MOD SIC 1200V 80A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 80A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 80 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 240 µA @ 1200 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 6239.43 грн |
| 10+ | 5435.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-SC160FA120 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE MOD SIC 1200V 80A SOT-227, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 2 Independent, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 80A, Supplier Device Package: SOT-227, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 80 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 240 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції VS-SC160FA120
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
VS-SC160FA120 | Vishay | SiC Schottky Diodes SOT-227 Silicon Carbide Schottky Barrier Diode, 1200 V, 160 A |
на замовлення 132 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| VS-SC160FA120 |
Виробник: Vishay
SiC Schottky Diodes SOT-227 Silicon Carbide Schottky Barrier Diode, 1200 V, 160 A
SiC Schottky Diodes SOT-227 Silicon Carbide Schottky Barrier Diode, 1200 V, 160 A
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)