VS-SC200FA65 Vishay
Виробник: Vishay
Description: DIODE MOD SIC 650V 100A SOT-227
Packaging: Strip
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 6302.91 грн |
| 10+ | 4727.77 грн |
| 50+ | 4479.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-SC200FA65 Vishay
Description: DIODE MOD SIC 650V 100A SOT-227, Packaging: Strip, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 2 Independent, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A, Supplier Device Package: SOT-227, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 100 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V.
Інші пропозиції VS-SC200FA65
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
VS-SC200FA65 | Vishay |
SiC Schottky Diodes SOT-227 Silicon Carbide Schottky Barrier Diode, 650 V, 200 A |
на замовлення 156 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| VS-SC200FA65 |
|
Виробник: Vishay
SiC Schottky Diodes SOT-227 Silicon Carbide Schottky Barrier Diode, 650 V, 200 A
SiC Schottky Diodes SOT-227 Silicon Carbide Schottky Barrier Diode, 650 V, 200 A
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)