VS-SC50BA65 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1P 650V 50A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide Schottky
Supplier Device Package: SOT-227
Voltage - Peak Reverse (Max): 650 V
Current - Average Rectified (Io): 50 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.73 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 4450.58 грн |
| 10+ | 3301.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-SC50BA65 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1P 650V 50A SOT-227, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Technology: Silicon Carbide Schottky, Supplier Device Package: SOT-227, Voltage - Peak Reverse (Max): 650 V, Current - Average Rectified (Io): 50 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.73 V @ 50 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V.
Інші пропозиції VS-SC50BA65
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
VS-SC50BA65 | Vishay |
SiC Schottky Diodes SOT-227 Silicon Carbide Single Phase Bridge, 650V, 50 A |
на замовлення 137 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| VS-SC50BA65 |
|
Виробник: Vishay
SiC Schottky Diodes SOT-227 Silicon Carbide Single Phase Bridge, 650V, 50 A
SiC Schottky Diodes SOT-227 Silicon Carbide Single Phase Bridge, 650V, 50 A
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)