VS-SC80FA120 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE MOD SIC 1200V 40A SOT-227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.58 V @ 40 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOT-227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 40A
Diode Configuration: 2 Independent
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-SC80FA120 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE MOD SIC 1200V 40A SOT-227, Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.58 V @ 40 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Supplier Device Package: SOT-227, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 40A, Diode Configuration: 2 Independent, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Packaging: Tube.
Інші пропозиції VS-SC80FA120 за ціною від 2758.19 грн до 4373.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
VS-SC80FA120 | Vishay |
SiC Schottky Diodes SOT-227 Silicon Carbide Schottky Barrier Diode, 1200 V, 80 A |
на замовлення 125 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| VS-SC80FA120 |
|
Виробник: Vishay
SiC Schottky Diodes SOT-227 Silicon Carbide Schottky Barrier Diode, 1200 V, 80 A
SiC Schottky Diodes SOT-227 Silicon Carbide Schottky Barrier Diode, 1200 V, 80 A
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 4373.88 грн |
| 10+ | 3562.99 грн |
| 100+ | 2758.19 грн |