VS-SC80FA120 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE MOD SIC 1200V 40A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 40A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.58 V @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 1200 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2623.26 грн |
| 10+ | 1873.37 грн |
| 50+ | 1595.45 грн |
| 160+ | 1447.55 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-SC80FA120 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE MOD SIC 1200V 40A SOT-227, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 2 Independent, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 40A, Supplier Device Package: SOT-227, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.58 V @ 40 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції VS-SC80FA120
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
VS-SC80FA120 | Vishay |
SiC Schottky Diodes SOT-227 Silicon Carbide Schottky Barrier Diode, 1200 V, 80 A |
на замовлення 125 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| VS-SC80FA120 |
|
Виробник: Vishay
SiC Schottky Diodes SOT-227 Silicon Carbide Schottky Barrier Diode, 1200 V, 80 A
SiC Schottky Diodes SOT-227 Silicon Carbide Schottky Barrier Diode, 1200 V, 80 A
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)