Продукція > VISHAY > VS-SC80FA65
VS-SC80FA65

VS-SC80FA65 Vishay


vs-sc80fa65.pdf Виробник: Vishay
SiC Schottky Diodes SOT-227 Silicon Carbide Schottky Barrier Diode, 650 V, 80 A
на замовлення 149 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3426.53 грн
10+2875.45 грн
100+2452.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис VS-SC80FA65 Vishay

Description: DIODE MOD SIC 650V 40A SOT-227, Packaging: Strip, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 2 Independent, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 40A, Supplier Device Package: SOT-227, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.58 V @ 40 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V.

Інші пропозиції VS-SC80FA65 за ціною від 2625.50 грн до 3610.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
VS-SC80FA65 VS-SC80FA65 Виробник : Vishay vs-sc80fa65.pdf Description: DIODE MOD SIC 650V 40A SOT-227
Packaging: Strip
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 40A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.58 V @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3610.89 грн
10+2625.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.