Продукція > VISHAY > VS-SC80FA65
VS-SC80FA65

VS-SC80FA65 Vishay

vs-sc80fa65.pdf Виробник: Vishay
SiC Schottky Diodes SOT-227 Silicon Carbide Schottky Barrier Diode, 650 V, 80 A
на замовлення 149 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3362.93 грн
10+2822.07 грн
100+2407.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис VS-SC80FA65 Vishay

Description: DIODE MOD SIC 650V 40A SOT-227, Packaging: Strip, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 2 Independent, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 40A, Supplier Device Package: SOT-227, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.58 V @ 40 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V.

Інші пропозиції VS-SC80FA65 за ціною від 2576.77 грн до 3543.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
VS-SC80FA65 VS-SC80FA65 Виробник : Vishay vs-sc80fa65.pdf Description: DIODE MOD SIC 650V 40A SOT-227
Packaging: Strip
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 40A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.58 V @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3543.87 грн
10+2576.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-SC80FA65 Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFB8F81A25A304C0DC&compId=vs-sc80fa65.pdf?ci_sign=2a2f2700e65db068f13524c84d70dbe9a44e4834 Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 650V; If: 80A; SOT227B; screw
Features of semiconductor devices: Schottky
Electrical mounting: screw
Technology: SiC
Load current: 80A
Max. forward impulse current: 225A
Max. off-state voltage: 650V
Case: SOT227B
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double independent
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.