VS-SD1100C30C Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 3KV 1100A B-43
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.44 V @ 1500 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3000 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: B-43, Hockey PUK
Current - Average Rectified (Io): 1100A
Technology: Standard
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Clamp On
Package / Case: DO-200AA, A-PUK
Packaging: Bulk
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-SD1100C30C Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 3KV 1100A B-43, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.44 V @ 1500 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3000 V, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C, Supplier Device Package: B-43, Hockey PUK, Current - Average Rectified (Io): 1100A, Technology: Standard, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Clamp On, Package / Case: DO-200AA, A-PUK, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції VS-SD1100C30C
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
VS-SD1100C30C | Виробник : Vishay Semiconductors |
Rectifiers 1100 Amp 3000 Volt 11000 Amp IFSM |
товару немає в наявності |