Технічний опис VS-SD303C10S10C Vishay
Description: DIODE GEN PURP 1KV 350A DO200AA, Packaging: Bulk, Package / Case: DO-200AA, A-PUK, Mounting Type: Clamp On, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 1 µs, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 350A, Supplier Device Package: DO-200AA, A-PUK, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.26 V @ 1100 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 35 mA @ 1000 V.
Інші пропозиції VS-SD303C10S10C
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
VS-SD303C10S10C | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
 Description: DIODE GEN PURP 1KV 350A DO200AAPackaging: Bulk Package / Case: DO-200AA, A-PUK Mounting Type: Clamp On Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 1 µs Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 350A Supplier Device Package: DO-200AA, A-PUK Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.26 V @ 1100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 35 mA @ 1000 V |
товару немає в наявності |
|
 |
VS-SD303C10S10C | Виробник : Vishay Semiconductors |
Rectifiers 1000 Volt 350 Amp |
товару немає в наявності |