VS-SF100SA120 Vishay Semiconductors
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 4277.50 грн |
| 10+ | 3610.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-SF100SA120 Vishay Semiconductors
Description: POWER MODULE, SINGLE SWITCH - SI, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 100A, 15V, Power Dissipation (Max): 468W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 14.22mA, Supplier Device Package: SOT-227, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): +19V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 168 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4624 pF @ 1000 V.
Інші пропозиції VS-SF100SA120 за ціною від 2935.05 грн до 4067.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| VS-SF100SA120 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
 Description: POWER MODULE, SINGLE SWITCH - SIPackaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 100A, 15V Power Dissipation (Max): 468W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 14.22mA Supplier Device Package: SOT-227 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): +19V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 168 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4624 pF @ 1000 V |
на замовлення 158 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|