VS-SF50LA120

VS-SF50LA120 Vishay General Semiconductor - Diodes Division


doc?97288 Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: POWER MODULE, LOW SIDE CHOPPER -
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 7.11mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2317 pF @ 1000 V
на замовлення 160 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3599.61 грн
10+2637.05 грн
100+2530.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис VS-SF50LA120 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: POWER MODULE, LOW SIDE CHOPPER -, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 50A, 15V, Power Dissipation (Max): 136W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 7.11mA, Supplier Device Package: SOT-227, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): +19V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2317 pF @ 1000 V.

Інші пропозиції VS-SF50LA120 за ціною від 2689.08 грн до 4264.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
VS-SF50LA120 Виробник : Vishay Semiconductors doc?97288 MOSFET Modules MODULES MOSFETS - SOT-227 SIC MOSFET
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4264.73 грн
10+3474.18 грн
100+2689.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.