VS-UFB211FA40 Vishay Semiconductors
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2173.49 грн |
| 10+ | 1904.13 грн |
| 25+ | 1641.16 грн |
| 50+ | 1579.96 грн |
| 100+ | 1447.84 грн |
| 250+ | 1435.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-UFB211FA40 Vishay Semiconductors
Description: DIODE MODULE GP 400V 120A SOT227, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 400 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.59 V @ 100 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V, Part Status: Active, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Supplier Device Package: SOT-227, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A, Diode Configuration: 2 Independent, Technology: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 80 ns, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Packaging: Tube.
Інші пропозиції VS-UFB211FA40
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
VS-UFB211FA40 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
 Description: DIODE MODULE GP 400V 120A SOT227Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.59 V @ 100 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: SOT-227 Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A Diode Configuration: 2 Independent Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 80 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Packaging: Tube |
товару немає в наявності |