
VS-VSKD236/12PBF Vishay Semiconductors
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 5212.43 грн |
10+ | 4657.42 грн |
30+ | 3648.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-VSKD236/12PBF Vishay Semiconductors
Description: DIODE MOD GP 1200V 115A MAGNAPAK, Packaging: Bulk, Package / Case: 3-MAGN-A-PAK™, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 115A, Supplier Device Package: MAGN-A-PAK®, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 mA @ 1200 V.
Інші пропозиції VS-VSKD236/12PBF
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
VS-VSKD236/12PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
VS-VSKD236/12PBF | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: 3-MAGN-A-PAK™ Mounting Type: Chassis Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 115A Supplier Device Package: MAGN-A-PAK® Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 mA @ 1200 V |
товару немає в наявності |