Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > VSS8D2M12-M3/I

VSS8D2M12-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Name: VSS8D2M12-M3/I
Brand: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
SKU: 13244928-3
Price: 343.79999999999995 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTT 120V 1.9A SLIMSMAW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 220pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.9A
Supplier Device Package: SlimSMAW (DO-221AD)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 120 V

на замовлення 9253 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
12+	28.65 грн
14+	21.92 грн
100+	13.17 грн
500+	11.44 грн
1000+	7.78 грн
2000+	7.16 грн
5000+	6.75 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис VSS8D2M12-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE SCHOTT 120V 1.9A SLIMSMAW, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Capacitance @ Vr, F: 220pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1.9A, Supplier Device Package: SlimSMAW (DO-221AD), Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 120 V.

Інші пропозиції VSS8D2M12-M3/I

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
	VSS8D2M12-M3/I	Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Description: DIODE SCHOTT 120V 1.9A SLIMSMAW Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 220pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1.9A Supplier Device Package: SlimSMAW (DO-221AD) Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 120 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.