VSSAF3N50-M3/6A Vishay General Semiconductor
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 29.34 грн |
| 19+ | 17.39 грн |
| 100+ | 12.96 грн |
| 500+ | 11.29 грн |
| 1000+ | 10.45 грн |
| 3500+ | 8.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VSSAF3N50-M3/6A Vishay General Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 50V 2.7A DO221AC, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 50 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 400 mV @ 1.5 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V, Part Status: Active, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C, Supplier Device Package: DO-221AC (SlimSMA), Current - Average Rectified (Io): 2.7A, Capacitance @ Vr, F: 570pF @ 4V, 1MHz, Technology: Schottky, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції VSSAF3N50-M3/6A за ціною від 9.96 грн до 34.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
VSSAF3N50-M3/6A | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
 Description: DIODE SCHOTTKY 50V 2.7A DO221ACPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 570pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2.7A Supplier Device Package: DO-221AC (SlimSMA) Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 400 mV @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 50 V |
на замовлення 4924 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|