
VSSAF3N50-M3/6B Vishay General Semiconductor
на замовлення 13048 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 39.91 грн |
12+ | 30.29 грн |
100+ | 15.82 грн |
500+ | 14.64 грн |
1000+ | 10.37 грн |
14000+ | 8.17 грн |
28000+ | 7.80 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VSSAF3N50-M3/6B Vishay General Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 50V 2.7A DO221AC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Capacitance @ Vr, F: 570pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 2.7A, Supplier Device Package: DO-221AC (SlimSMA), Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 400 mV @ 1.5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 50 V.
Інші пропозиції VSSAF3N50-M3/6B
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
VSSAF3N50-M3/6B | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
VSSAF3N50-M3/6B | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 570pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2.7A Supplier Device Package: DO-221AC (SlimSMA) Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 400 mV @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 50 V |
товару немає в наявності |