Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > VSSB410S-E3/5BT
VSSB410S-E3/5BT

VSSB410S-E3/5BT Vishay General Semiconductor - Diodes Division

vssb410s-e3.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 1.9A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 230pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.9A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 µA @ 70 V
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3200+10.94 грн
6400+9.65 грн
Мінімальне замовлення: 3200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис VSSB410S-E3/5BT Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE SCHOTTKY 100V 1.9A DO214AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AA, SMB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Capacitance @ Vr, F: 230pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1.9A, Supplier Device Package: DO-214AA (SMB), Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 µA @ 70 V.

Інші пропозиції VSSB410S-E3/5BT за ціною від 11.65 грн до 33.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
VSSB410S-E3/5BT VSSB410S-E3/5BT Vishay General Semiconductor - Diodes Division vssb410s-e3.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 1.9A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 230pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.9A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 µA @ 70 V
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.10 грн
13+24.16 грн
100+18.17 грн
500+12.97 грн
1000+11.65 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VSSB410S-E3/5BT VSSB410S-E3/5BT Vishay General Semiconductor vssb410s-e3.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 4A,100V,TMBS SKY RECT.
на замовлення 5570 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VSSB410S-E3/5BT vssb410s-e3.pdf
VSSB410S-E3/5BT
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 1.9A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 230pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.9A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 µA @ 70 V
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+33.10 грн
13+24.16 грн
100+18.17 грн
500+12.97 грн
1000+11.65 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VSSB410S-E3/5BT vssb410s-e3.pdf
VSSB410S-E3/5BT
Виробник: Vishay General Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 4A,100V,TMBS SKY RECT.
на замовлення 5570 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.