
VSSB410S-M3/5BT Vishay General Semiconductor
на замовлення 3145 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 47.02 грн |
13+ | 28.52 грн |
100+ | 16.18 грн |
500+ | 12.02 грн |
1000+ | 10.21 грн |
2500+ | 9.22 грн |
5000+ | 7.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VSSB410S-M3/5BT Vishay General Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 1.9A DO214AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AA, SMB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Capacitance @ Vr, F: 230pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1.9A, Supplier Device Package: DO-214AA (SMB), Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 100 V.
Інші пропозиції VSSB410S-M3/5BT
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
VSSB410S-M3/5BT | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
VSSB410S-M3/5BT | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AA, SMB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 230pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1.9A Supplier Device Package: DO-214AA (SMB) Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 100 V |
товару немає в наявності |