VSSB410S-M3/5BT Vishay General Semiconductor
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 43.32 грн |
| 13+ | 26.28 грн |
| 100+ | 14.91 грн |
| 500+ | 11.08 грн |
| 1000+ | 9.41 грн |
| 2500+ | 8.50 грн |
| 5000+ | 6.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VSSB410S-M3/5BT Vishay General Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 1.9A DO214AA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 4 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C, Supplier Device Package: DO-214AA (SMB), Current - Average Rectified (Io): 1.9A, Capacitance @ Vr, F: 230pF @ 4V, 1MHz, Technology: Schottky, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: DO-214AA, SMB, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції VSSB410S-M3/5BT
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
VSSB410S-M3/5BT | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
 Description: DIODE SCHOTTKY 100V 1.9A DO214AACurrent - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 4 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Supplier Device Package: DO-214AA (SMB) Current - Average Rectified (Io): 1.9A Capacitance @ Vr, F: 230pF @ 4V, 1MHz Technology: Schottky Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-214AA, SMB Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |