Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VT6K1T2CR Rohm Semiconductor
Description: ROHM - VT6K1T2CR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 2.5 ohm, VMT, Oberflächenmontage, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20, Dauer-Drainstrom Id: 100, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 150, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1, Bauform - Transistor: VMT, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 6, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 2.5, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції VT6K1T2CR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
VT6K1T2CR | ROHM |
 Description: ROHM - VT6K1T2CR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 2.5 ohm, VMT, OberflächenmontageTransistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20 Dauer-Drainstrom Id: 100 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 150 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1 Bauform - Transistor: VMT Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 2.5 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 3861 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
VT6K1T2CR | ROHM |
Description: ROHM - VT6K1T2CR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 2.5 ohm, VMT, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20 Dauer-Drainstrom Id: 100 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 150 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1 Bauform - Transistor: VMT Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 2.5 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 3861 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
VT6K1T2CR | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.1A VMT6 |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 8000 шт В кошику од. на суму грн. |
| VT6K1T2CR |
|
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| VT6K1T2CR |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - VT6K1T2CR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 2.5 ohm, VMT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 100
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 150
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
Bauform - Transistor: VMT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.5
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ROHM - VT6K1T2CR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 2.5 ohm, VMT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 100
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 150
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
Bauform - Transistor: VMT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.5
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 3861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| VT6K1T2CR |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - VT6K1T2CR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 2.5 ohm, VMT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 100
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 150
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
Bauform - Transistor: VMT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.5
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ROHM - VT6K1T2CR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 2.5 ohm, VMT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 100
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 150
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
Bauform - Transistor: VMT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.5
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 3861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| VT6K1T2CR |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.1A VMT6
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.1A VMT6
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)