Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > VT6M1T2CR
VT6M1T2CR

VT6M1T2CR Rohm Semiconductor

datasheet?p=VT6M1&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 120mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7.1pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 100mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: VMT6
Part Status: Last Time Buy
на замовлення 64000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8000+4.92 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 8000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис VT6M1T2CR Rohm Semiconductor

Description: ROHM - VT6M1T2CR - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 100 mA, 100 mA, 2.5 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 100mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.5ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 150mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: VMT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.5ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 150mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції VT6M1T2CR за ціною від 4.18 грн до 32.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
VT6M1T2CR VT6M1T2CR Rohm Semiconductor datasheet?p=VT6M1&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 120mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7.1pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 100mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: VMT6
Part Status: Last Time Buy
на замовлення 67311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.38 грн
15+20.99 грн
100+11.92 грн
500+7.41 грн
1000+5.68 грн
2000+4.94 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VT6M1T2CR VT6M1T2CR ROHM Semiconductor datasheet?p=VT6M1&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFET 1.2V Drive Nch+Pch MOSFET
на замовлення 80369 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
10+32.92 грн
13+23.94 грн
100+11.87 грн
500+7.84 грн
1000+5.20 грн
5000+4.69 грн
8000+4.18 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VT6M1T2CR VT6M1T2CR ROHM ROHMS25934-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ROHM - VT6M1T2CR - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 100 mA, 100 mA, 2.5 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.5ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.5ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VT6M1T2CR VT6M1T2CR ROHM ROHMS25934-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ROHM - VT6M1T2CR - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 100 mA, 100 mA, 2.5 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.5ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.5ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 69 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VT6M1 T2CR ROHM SOT26
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VT6M1T2CR datasheet?p=VT6M1&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
VT6M1T2CR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 120mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7.1pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 100mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: VMT6
Part Status: Last Time Buy
на замовлення 67311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+29.38 грн
15+20.99 грн
100+11.92 грн
500+7.41 грн
1000+5.68 грн
2000+4.94 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VT6M1T2CR datasheet?p=VT6M1&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
VT6M1T2CR
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFET 1.2V Drive Nch+Pch MOSFET
на замовлення 80369 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+32.92 грн
13+23.94 грн
100+11.87 грн
500+7.84 грн
1000+5.20 грн
5000+4.69 грн
8000+4.18 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VT6M1T2CR ROHMS25934-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
VT6M1T2CR
Виробник: ROHM
Description: ROHM - VT6M1T2CR - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 100 mA, 100 mA, 2.5 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.5ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.5ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VT6M1T2CR ROHMS25934-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
VT6M1T2CR
Виробник: ROHM
Description: ROHM - VT6M1T2CR - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 100 mA, 100 mA, 2.5 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.5ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.5ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 69 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VT6M1 T2CR
Виробник: ROHM
SOT26
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.