VT6M1T2CR Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 120mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7.1pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 100mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: VMT6
Part Status: Last Time Buy
на замовлення 64000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8000+ | 5.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VT6M1T2CR Rohm Semiconductor
Description: ROHM - VT6M1T2CR - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 100 mA, 100 mA, 2.5 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 100mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.5ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 150mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: VMT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.5ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 150mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції VT6M1T2CR за ціною від 4.19 грн до 33.59 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
VT6M1T2CR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 120mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7.1pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 100mA, 4.5V FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA Supplier Device Package: VMT6 Part Status: Last Time Buy |
на замовлення 67311 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
VT6M1T2CR | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET 1.2V Drive Nch+Pch MOSFET |
на замовлення 80369 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
VT6M1T2CR | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - VT6M1T2CR - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 100 mA, 100 mA, 2.5 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 100mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.5ohm Verlustleistung, p-Kanal: 150mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: VMT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.5ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 150mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 69 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
VT6M1T2CR | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - VT6M1T2CR - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 100 mA, 100 mA, 2.5 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 100mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.5ohm Verlustleistung, p-Kanal: 150mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: VMT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.5ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 150mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 69 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| VT6M1 T2CR | Виробник : ROHM | SOT26 |
на замовлення 4800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |