Продукція > VISHAY SEMICONDUCTORS > VTVS10ASMF-M3-18

VTVS10ASMF-M3-18 Vishay Semiconductors

Виробник: Vishay Semiconductors
ESD Suppressors / TVS Diodes 400W -/+30kV -/+5% Vf1.8V Uni-dir N-Ch1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис VTVS10ASMF-M3-18 Vishay Semiconductors

Category: Unidirectional TVS SMD diodes, Description: Diode: TVS; 400W; 11.4V; 23.2A; unidirectional; DO219AB,SMF, Type of diode: TVS, Peak pulse power dissipation: 0.4kW, Max. off-state voltage: 10.3V, Breakdown voltage: 11.4V, Max. forward impulse current: 23.2A, Semiconductor structure: unidirectional, Case: DO219AB; SMF, Mounting: SMD, Leakage current: 50nA, Technology: TransZorb®.

Інші пропозиції VTVS10ASMF-M3-18

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна без ПДВ
	VTVS10ASMF-M3-18	VISHAY	Category: Unidirectional TVS SMD diodes Description: Diode: TVS; 400W; 11.4V; 23.2A; unidirectional; DO219AB,SMF Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.4kW Max. off-state voltage: 10.3V Breakdown voltage: 11.4V Max. forward impulse current: 23.2A Semiconductor structure: unidirectional Case: DO219AB; SMF Mounting: SMD Leakage current: 50nA Technology: TransZorb®	товару немає в наявності Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 50000 шт В кошику од. на суму грн.

VTVS10ASMF-M3-18

Виробник: VISHAY
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 11.4V; 23.2A; unidirectional; DO219AB,SMF
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 10.3V
Breakdown voltage: 11.4V
Max. forward impulse current: 23.2A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO219AB; SMF
Mounting: SMD
Leakage current: 50nA
Technology: TransZorb®

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 50000 шт

В кошику од. на суму грн.