VTVS10GSMF-M3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 10.3VWM 16.3VC DO219AB
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VTVS10GSMF-M3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Category: Unidirectional TVS SMD diodes, Description: Diode: TVS; 400W; 11.81V; 23.98A; unidirectional; DO219AB,SMF, Type of diode: TVS, Peak pulse power dissipation: 0.4kW, Max. off-state voltage: 10.3V, Breakdown voltage: 11.81V, Max. forward impulse current: 23.98A, Semiconductor structure: unidirectional, Case: DO219AB; SMF, Mounting: SMD, Leakage current: 50nA, Technology: TransZorb®.
Інші пропозиції VTVS10GSMF-M3-08
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
VTVS10GSMF-M3-08 | Vishay Semiconductors |
ESD Protection Diodes / TVS Diodes 400W -/+30kV -/+2% Vf1.8V Uni-dir N-Ch1 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 30000 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
VTVS10GSMF-M3-08 | VISHAY |
Category: Unidirectional TVS SMD diodes Description: Diode: TVS; 400W; 11.81V; 23.98A; unidirectional; DO219AB,SMF Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.4kW Max. off-state voltage: 10.3V Breakdown voltage: 11.81V Max. forward impulse current: 23.98A Semiconductor structure: unidirectional Case: DO219AB; SMF Mounting: SMD Leakage current: 50nA Technology: TransZorb® |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 30000 шт В кошику од. на суму грн. |
| VTVS10GSMF-M3-08 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
ESD Protection Diodes / TVS Diodes 400W -/+30kV -/+2% Vf1.8V Uni-dir N-Ch1
ESD Protection Diodes / TVS Diodes 400W -/+30kV -/+2% Vf1.8V Uni-dir N-Ch1
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| VTVS10GSMF-M3-08 |
|
Виробник: VISHAY
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 11.81V; 23.98A; unidirectional; DO219AB,SMF
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 10.3V
Breakdown voltage: 11.81V
Max. forward impulse current: 23.98A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO219AB; SMF
Mounting: SMD
Leakage current: 50nA
Technology: TransZorb®
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 11.81V; 23.98A; unidirectional; DO219AB,SMF
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 10.3V
Breakdown voltage: 11.81V
Max. forward impulse current: 23.98A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO219AB; SMF
Mounting: SMD
Leakage current: 50nA
Technology: TransZorb®
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику
од. на суму грн.