VTVS10GSMF-M3-18 Vishay Semiconductors



Виробник: Vishay Semiconductors
ESD Protection Diodes / TVS Diodes 400W -/+30kV -/+2% Vf1.8V Uni-dir N-Ch1
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис VTVS10GSMF-M3-18 Vishay Semiconductors

Category: Unidirectional TVS SMD diodes, Description: Diode: TVS; 400W; 11.81V; 23.98A; unidirectional; DO219AB,SMF, Type of diode: TVS, Peak pulse power dissipation: 0.4kW, Max. off-state voltage: 10.3V, Breakdown voltage: 11.81V, Max. forward impulse current: 23.98A, Semiconductor structure: unidirectional, Case: DO219AB; SMF, Mounting: SMD, Leakage current: 50nA, Technology: TransZorb®.

Інші пропозиції VTVS10GSMF-M3-18

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
VTVS10GSMF-M3-18 VTVS10GSMF-M3-18 VISHAY Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 11.81V; 23.98A; unidirectional; DO219AB,SMF
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 10.3V
Breakdown voltage: 11.81V
Max. forward impulse current: 23.98A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO219AB; SMF
Mounting: SMD
Leakage current: 50nA
Technology: TransZorb®
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VTVS10GSMF-M3-18
Виробник: VISHAY
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 11.81V; 23.98A; unidirectional; DO219AB,SMF
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 10.3V
Breakdown voltage: 11.81V
Max. forward impulse current: 23.98A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO219AB; SMF
Mounting: SMD
Leakage current: 50nA
Technology: TransZorb®
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50000 шт
В кошику  од. на суму  грн.