Продукція > VISHAY SEMICONDUCTORS > VTVS11GSMF-M3-18

VTVS11GSMF-M3-18 Vishay Semiconductors

Виробник: Vishay Semiconductors
ESD Suppressors / TVS Diodes 400W -/+30kV -/+2% Vf1.8V Uni-dir N-Ch1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис VTVS11GSMF-M3-18 Vishay Semiconductors

Category: Unidirectional TVS SMD diodes, Description: Diode: TVS; 400W; 12.99V; 21.75A; unidirectional; DO219AB,SMF, Type of diode: TVS, Peak pulse power dissipation: 0.4kW, Max. off-state voltage: 11.2V, Breakdown voltage: 12.99V, Max. forward impulse current: 21.75A, Semiconductor structure: unidirectional, Case: DO219AB; SMF, Mounting: SMD, Leakage current: 50nA, Technology: TransZorb®.

Інші пропозиції VTVS11GSMF-M3-18

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна без ПДВ
	VTVS11GSMF-M3-18	VISHAY	Category: Unidirectional TVS SMD diodes Description: Diode: TVS; 400W; 12.99V; 21.75A; unidirectional; DO219AB,SMF Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.4kW Max. off-state voltage: 11.2V Breakdown voltage: 12.99V Max. forward impulse current: 21.75A Semiconductor structure: unidirectional Case: DO219AB; SMF Mounting: SMD Leakage current: 50nA Technology: TransZorb®	товару немає в наявності Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 50000 шт В кошику од. на суму грн.

VTVS11GSMF-M3-18

Виробник: VISHAY
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 12.99V; 21.75A; unidirectional; DO219AB,SMF
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 11.2V
Breakdown voltage: 12.99V
Max. forward impulse current: 21.75A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO219AB; SMF
Mounting: SMD
Leakage current: 50nA
Technology: TransZorb®

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 50000 шт

В кошику од. на суму грн.