Продукція > LITTELFUSE > VVZB170-16IOXT
VVZB170-16IOXT

VVZB170-16IOXT Littelfuse


media.pdf Виробник: Littelfuse
High Voltage Thyristor Module With IGBT 22-Pin E2-Pack Box
на замовлення 24 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6374.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис VVZB170-16IOXT Littelfuse

Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; diode/thyristor/IGBT; boost chopper; Urmax: 1.2kV, Mechanical mounting: screw, Technology: X2PT, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 140A, Pulsed collector current: 300A, Power dissipation: 500W, Case: E2-Pack, Max. off-state voltage: 1.2kV, Topology: 3-phase diode-thyristor bridge; boost chopper; NTC thermistor, Semiconductor structure: diode/thyristor/IGBT, Type of semiconductor module: IGBT, Application: Inverter, Electrical mounting: Press-in PCB.

Інші пропозиції VVZB170-16IOXT за ціною від 6286.02 грн до 8362.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
VVZB170-16ioXT VVZB170-16ioXT Виробник : IXYS VVZB170-16IOXT-1549613.pdf Bridge Rectifiers Thyristor Module
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+8362.37 грн
12+7817.52 грн
102+6510.98 грн
504+6286.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VVZB170-16ioXT Виробник : IXYS VVZB170-16IOXT.pdf Description: DIODE BRIDGE 1600V 180A
Packaging: Box
Package / Case: E2
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Structure: Bridge, 3-Phase - SCRs/Diodes - IGBT with Diode
Current - Hold (Ih) (Max): 200 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 95 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 1100A, 1190A
Number of SCRs, Diodes: 3 SCRs, 3 Diodes
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.5 V
Part Status: Active
Voltage - Off State: 1.6 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VVZB170-16ioXT Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA95FA6E0C8264E0C4&compId=VVZB170-16IOXT.pdf?ci_sign=42714146d8e9e276eff660612979f982ac45948e Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/thyristor/IGBT; boost chopper; Urmax: 1.2kV
Mechanical mounting: screw
Technology: X2PT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 140A
Pulsed collector current: 300A
Power dissipation: 500W
Case: E2-Pack
Max. off-state voltage: 1.2kV
Topology: 3-phase diode-thyristor bridge; boost chopper; NTC thermistor
Semiconductor structure: diode/thyristor/IGBT
Type of semiconductor module: IGBT
Application: Inverter
Electrical mounting: Press-in PCB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.