W66AP6NBQAFJ Winbond Electronics
Виробник: Winbond Electronics
Description: IC DRAM 1GBIT LVSTL 200TFBGA
Memory Organization: 64M x 16
Access Time: 3.6 ns
Memory Interface: LVSTL_11
Write Cycle Time - Word, Page: 18ns
Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 1.6 GHz
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4
Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TC)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 1Gbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 200-TFBGA
Packaging: Tray
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 406.68 грн |
| 10+ | 299.28 грн |
| 25+ | 276.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис W66AP6NBQAFJ Winbond Electronics
Description: IC DRAM 1GBIT LVSTL 200TFBGA, Memory Organization: 64M x 16, Access Time: 3.6 ns, Memory Interface: LVSTL_11, Write Cycle Time - Word, Page: 18ns, Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5), Memory Format: DRAM, Clock Frequency: 1.6 GHz, Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4, Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V, Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TC), Memory Type: Volatile, Memory Size: 1Gbit, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 200-TFBGA, Packaging: Tray.
Інші пропозиції W66AP6NBQAFJ
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
W66AP6NBQAFJ | Winbond |
DRAM 1Gb LPDDR4, x16, 1600MHz, -40C-105C |
на замовлення 134 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| W66AP6NBQAFJ |
|
Виробник: Winbond
DRAM 1Gb LPDDR4, x16, 1600MHz, -40C-105C
DRAM 1Gb LPDDR4, x16, 1600MHz, -40C-105C
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)