| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1464.97 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
31-40 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис W949D2DBJX5E Winbond
Description: IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA, Packaging: Tray, Package / Case: 90-TFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 512Mbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TC), Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V, Technology: SDRAM - Mobile LPDDR, Clock Frequency: 200 MHz, Memory Format: DRAM, Supplier Device Package: 90-VFBGA (8x13), Write Cycle Time - Word, Page: 15ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 5 ns, Memory Organization: 16M x 32, DigiKey Programmable: Not Verified.
Інші пропозиції W949D2DBJX5E за ціною від 306.40 грн до 336.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| W949D2DBJX5E | Winbond |
 DRAM Chip Mobile LPDDR SDRAM 512Mbit 16Mx32 1.8V 90-Pin VFBGA |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| W949D2DBJX5E |
|
Виробник: Winbond
DRAM Chip Mobile LPDDR SDRAM 512Mbit 16Mx32 1.8V 90-Pin VFBGA
DRAM Chip Mobile LPDDR SDRAM 512Mbit 16Mx32 1.8V 90-Pin VFBGA
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 336.78 грн |
| 10+ | 306.40 грн |