на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 274.65 грн |
| 10+ | 246.20 грн |
| 100+ | 189.07 грн |
| 240+ | 184.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис W949D2DBJX5E Winbond
Description: IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA, Packaging: Tray, Package / Case: 90-TFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 512Mbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TC), Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V, Technology: SDRAM - Mobile LPDDR, Clock Frequency: 200 MHz, Memory Format: DRAM, Supplier Device Package: 90-VFBGA (8x13), Write Cycle Time - Word, Page: 15ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 5 ns, Memory Organization: 16M x 32, DigiKey Programmable: Not Verified.
Інші пропозиції W949D2DBJX5E
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
W949D2DBJX5E | Виробник : Winbond Electronics |
 Description: IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGAPackaging: Tray Package / Case: 90-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TC) Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR Clock Frequency: 200 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 90-VFBGA (8x13) Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Memory Interface: Parallel Access Time: 5 ns Memory Organization: 16M x 32 DigiKey Programmable: Not Verified |
товару немає в наявності |