
WAB300M12BM3 MACOM

Discrete Semiconductor Modules SiC, Module, 300A, 1200V, 62mm, BM3, Switching Optimized, Industrial, THB-80, Gen 3
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 72677.88 грн |
10+ | 71489.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис WAB300M12BM3 MACOM
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 382A MODULE, Packaging: Bulk, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge), Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Technology: Silicon Carbide (SiC), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 382A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24500pF @ 1000V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 300A, 15V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 908nC @ 15V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 92mA, Supplier Device Package: Module, Part Status: Active.
Інші пропозиції WAB300M12BM3 за ціною від 71489.03 грн до 72677.88 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
WAB300M12BM3 | Виробник : Wolfspeed |
![]() |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
![]() |
WAB300M12BM3 | Виробник : Wolfspeed, Inc. |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 382A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24500pF @ 1000V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 300A, 15V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 908nC @ 15V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 92mA Supplier Device Package: Module Part Status: Active |
товару немає в наявності |