WG40N65DFJQ

WG40N65DFJQ WEEN SEMICONDUCTORS


Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WG40N65DFJQ - IGBT, 31 A, 1.5 V, 66 W, 650 V, TO-3PF, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Bauform - Transistor: TO-3PF
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 31A
SVHC: To Be Advised
на замовлення 430 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+72.62 грн
100+72.54 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис WG40N65DFJQ WEEN SEMICONDUCTORS

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WG40N65DFJQ - IGBT, 31 A, 1.5 V, 66 W, 650 V, TO-3PF, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 66W, Bauform - Transistor: TO-3PF, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 31A, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції WG40N65DFJQ

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
WG40N65DFJQ Виробник : Ween WG40N65DFJ/SOT1293/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WG40N65DFJQ WG40N65DFJQ Виробник : WeEn Semiconductors WG40N65DFJ-3305318.pdf WeEn Semiconductors WG40N65DFJ/SOT1293/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WG40N65DFJQ Виробник : WeEn Semiconductors Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 26W; SOT1293,TO3PF
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 15A
Power dissipation: 26W
Case: SOT1293; TO3PF
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 173nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.