WG40N65DFJQ WEEN SEMICONDUCTORS
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WG40N65DFJQ - IGBT, 31 A, 1.5 V, 66 W, 650 V, TO-3PF, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Verlustleistung: 66W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-3PF
Dauerkollektorstrom: 31A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 219.14 грн |
| 10+ | 140.94 грн |
| 100+ | 101.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис WG40N65DFJQ WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WG40N65DFJQ - IGBT, 31 A, 1.5 V, 66 W, 650 V, TO-3PF, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V, Verlustleistung: 66W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-3PF, Dauerkollektorstrom: 31A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції WG40N65DFJQ
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
WG40N65DFJQ | WeEn Semiconductors |
 IGBTs WG40N65DFJ/SOT1293/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 960 шт В кошику од. на суму грн. |
| WG40N65DFJQ | WeEn Semiconductors |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 26W; SOT1293,TO3PF Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 15A Power dissipation: 26W Case: SOT1293; TO3PF Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 173nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| WG40N65DFJQ |
|
Виробник: WeEn Semiconductors
IGBTs WG40N65DFJ/SOT1293/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
IGBTs WG40N65DFJ/SOT1293/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 960 шт
В кошику
од. на суму грн.
| WG40N65DFJQ |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 26W; SOT1293,TO3PF
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 15A
Power dissipation: 26W
Case: SOT1293; TO3PF
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 173nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 26W; SOT1293,TO3PF
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 15A
Power dissipation: 26W
Case: SOT1293; TO3PF
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 173nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.