Продукція > WEEN SEMICONDUCTOR(HONG KONG)CO.,LIMITED > WG50N65DHWQ
WG50N65DHWQ

WG50N65DHWQ WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited

wg50n65dhw_2.pdf
Виробник: WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited
Trans IGBT Chip N-CH 650V 91A 278mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 25200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
600+196.65 грн
3000+194.64 грн
6000+192.63 грн
12000+183.73 грн
15000+168.41 грн
24000+159.95 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис WG50N65DHWQ WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited

Description: IGBT TRENCH FS 650V 91A TO-247-3, Power - Max: 278 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector (Ic) (Max): 91 A, Part Status: Active, Gate Charge: 160 nC, Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V, Switching Energy: 1.7mJ (on), 600µJ (off), Td (on/off) @ 25°C: 66ns/163ns, IGBT Type: Trench Field Stop, Supplier Device Package: TO-247-3, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A, Reverse Recovery Time (trr): 105 ns, Input Type: Standard, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.

Інші пропозиції WG50N65DHWQ за ціною від 135.53 грн до 283.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
WG50N65DHWQ WG50N65DHWQ WeEn Semiconductors WG50N65DHW.pdf Description: IGBT TRENCH FS 650V 91A TO-247-3
Power - Max: 278 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 91 A
Part Status: Active
Gate Charge: 160 nC
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 1.7mJ (on), 600µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 66ns/163ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Reverse Recovery Time (trr): 105 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+283.26 грн
30+161.44 грн
120+135.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WG50N65DHWQ WG50N65DHWQ WeEn Semiconductors WG50N65DHW.pdf IGBTs WG50N65DHW/TO-247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
на замовлення 538 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
WG50N65DHWQ WG50N65DHWQ WEEN SEMICONDUCTORS 3204974.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WG50N65DHWQ - IGBT, 91 A, 1.65 V, 278 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 91A
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
WG50N65DHWQ WG50N65DHW.pdf
WG50N65DHWQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: IGBT TRENCH FS 650V 91A TO-247-3
Power - Max: 278 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 91 A
Part Status: Active
Gate Charge: 160 nC
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 1.7mJ (on), 600µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 66ns/163ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Reverse Recovery Time (trr): 105 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+283.26 грн
30+161.44 грн
120+135.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WG50N65DHWQ WG50N65DHW.pdf
WG50N65DHWQ
Виробник: WeEn Semiconductors
IGBTs WG50N65DHW/TO-247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
на замовлення 538 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
WG50N65DHWQ 3204974.pdf
WG50N65DHWQ
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WG50N65DHWQ - IGBT, 91 A, 1.65 V, 278 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 91A
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.