Продукція > WEEN SEMICONDUCTORS > WG50N65DHWQ
WG50N65DHWQ

WG50N65DHWQ WeEn Semiconductors

WG50N65DHW.pdf Виробник: WeEn Semiconductors
Description: IGBT TRENCH FS 650V 91A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 105 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 66ns/163ns
Switching Energy: 1.7mJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 160 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 91 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 278 W
на замовлення 411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+288.87 грн
30+164.63 грн
120+138.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис WG50N65DHWQ WeEn Semiconductors

Description: IGBT TRENCH FS 650V 91A TO-247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 105 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 66ns/163ns, Switching Energy: 1.7mJ (on), 600µJ (off), Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 160 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 91 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 278 W.

Інші пропозиції WG50N65DHWQ за ціною від 116.83 грн до 296.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
WG50N65DHWQ WG50N65DHWQ Виробник : WeEn Semiconductors WG50N65DHW-3500908.pdf IGBTs WG50N65DHW/TO-247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
на замовлення 1874 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+292.93 грн
10+282.07 грн
25+157.47 грн
100+131.34 грн
250+116.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WG50N65DHWQ WG50N65DHWQ Виробник : WEEN SEMICONDUCTORS 3204974.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WG50N65DHWQ - IGBT, 91 A, 1.65 V, 278 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 91A
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+296.31 грн
10+214.09 грн
100+174.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WG50N65DHWQ WG50N65DHWQ Виробник : Ween wg50n65dhw_2.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 91A 278000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WG50N65DHWQ Виробник : WeEn Semiconductors pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDC88A4D9388502E0C7&compId=WG50N65DHW.pdf?ci_sign=9b1e496fcf81c9c1f60128cb271a691d8c88361b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 111W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 111W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 123ns
Turn-off time: 265ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.