WM10N02G WAYON
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200mA; Idm: 0.5A; 200mW
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Gate charge: 1.5nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT323
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 18+ | 26.69 грн |
| 39+ | 11.02 грн |
| 86+ | 4.99 грн |
| 204+ | 2.10 грн |
| 500+ | 1.89 грн |
| 589+ | 1.67 грн |
| 1619+ | 1.57 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
14-30 дні (днів)
Мінімальна партія:
18 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис WM10N02G WAYON
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200mA; Idm: 0.5A; 200mW, Pulsed drain current: 0.5A, Power dissipation: 0.2W, Gate charge: 1.5nC, Polarisation: unipolar, Drain current: 0.2A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 100V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, Kind of package: reel; tape, Case: SOT323, On-state resistance: 6Ω, Mounting: SMD.