Результат пошуку "wm10n02g" : 1
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 18
В кошику
од. на суму грн.
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
WM10N02G | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200mA; Idm: 0.5A; 200mW Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.2A Pulsed drain current: 0.5A Power dissipation: 0.2W Case: SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2945 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| WM10N02G |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200mA; Idm: 0.5A; 200mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200mA; Idm: 0.5A; 200mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 24.90 грн |
| 40+ | 10.12 грн |
| 87+ | 4.62 грн |
| 206+ | 1.94 грн |
| 500+ | 1.75 грн |
| 589+ | 1.59 грн |
| 1619+ | 1.51 грн |