WM10N02M WAYON
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200mA; Idm: 0.8A; 350mW; SOT23
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.35W
Gate charge: 1.5nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14+ | 33.13 грн |
| 38+ | 11.36 грн |
| 113+ | 3.79 грн |
| 266+ | 1.61 грн |
| 500+ | 1.44 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
14-30 дні (днів)
Мінімальна партія:
14 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис WM10N02M WAYON
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200mA; Idm: 0.8A; 350mW; SOT23, Pulsed drain current: 0.8A, Power dissipation: 0.35W, Gate charge: 1.5nC, Polarisation: unipolar, Drain current: 0.2A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 100V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, Kind of package: reel; tape, Case: SOT23, On-state resistance: 6Ω, Mounting: SMD.