WM10N02M

WM10N02M WAYON


Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200mA; Idm: 0.8A; 350mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 1.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+28.33 грн
41+9.89 грн
121+3.32 грн
288+1.39 грн
500+1.25 грн
893+1.05 грн
2458+1.00 грн
3000+0.99 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис WM10N02M WAYON

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200mA; Idm: 0.8A; 350mW; SOT23, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 0.2A, Pulsed drain current: 0.8A, Power dissipation: 0.35W, Case: SOT23, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 6Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 1.5nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement.