Результат пошуку "wm10n02m" : 1
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 16
В кошику
од. на суму грн.
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
WM10N02M | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200mA; Idm: 0.8A; 350mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.2A Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
WM10N02M |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200mA; Idm: 0.8A; 350mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200mA; Idm: 0.8A; 350mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
16+ | 28.33 грн |
41+ | 9.89 грн |
121+ | 3.32 грн |
288+ | 1.39 грн |
500+ | 1.25 грн |
893+ | 1.05 грн |
2458+ | 1.00 грн |
3000+ | 0.99 грн |