WM10N35M2

WM10N35M2 WAYON


WM10N35M2.pdf Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; Idm: 14A; 1.65W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 1.65W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 21nC
Pulsed drain current: 14A
на замовлення 2681 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+35.40 грн
37+11.34 грн
61+6.84 грн
100+6.11 грн
500+5.46 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис WM10N35M2 WAYON

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; Idm: 14A; 1.65W; SOT23, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 3.5A, Power dissipation: 1.65W, Case: SOT23, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 90mΩ, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Gate charge: 21nC, Pulsed drain current: 14A, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції WM10N35M2 за ціною від 5.63 грн до 42.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
WM10N35M2 WM10N35M2 Виробник : WAYON WM10N35M2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; Idm: 14A; 1.65W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 1.65W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 21nC
Pulsed drain current: 14A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2681 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.48 грн
22+14.13 грн
37+8.21 грн
100+7.33 грн
500+6.55 грн
3000+5.87 грн
6000+5.63 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.