Продукція > WAYON > WMJ18N50D1B
WMJ18N50D1B

WMJ18N50D1B WAYON


Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 18A; Idm: 72A; 271W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 271W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 232 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+76.63 грн
10+57.48 грн
22+42.15 грн
59+39.85 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис WMJ18N50D1B WAYON

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 18A; Idm: 72A; 271W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: WMOS™ D1, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 500V, Drain current: 18A, Pulsed drain current: 72A, Power dissipation: 271W, Case: TO247-3, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.28Ω, Mounting: THT, Gate charge: 40nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement.