WMJ18N50D1B WAYON
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 18A; Idm: 72A; 271W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 271W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 18A; Idm: 72A; 271W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 271W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 266 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 101.23 грн |
| 6+ | 74.95 грн |
| 10+ | 56.23 грн |
| 30+ | 50.52 грн |
| 120+ | 46.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис WMJ18N50D1B WAYON
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 18A; Idm: 72A; 271W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: WMOS™ D1, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 500V, Drain current: 18A, Pulsed drain current: 72A, Power dissipation: 271W, Case: TO247-3, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.28Ω, Mounting: THT, Gate charge: 40nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement.
Інші пропозиції WMJ18N50D1B
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
WMJ18N50D1B Код товару: 216672
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|