Продукція > WAYON > WMO080N10HG2
WMO080N10HG2

WMO080N10HG2 WAYON

Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 53.7A; Idm: 340A; 108.7W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 53.7A
Pulsed drain current: 340A
Power dissipation: 108.7W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+63.51 грн
10+40.65 грн
25+38.30 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис WMO080N10HG2 WAYON

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 53.7A; Idm: 340A; 108.7W, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 53.7A, Pulsed drain current: 340A, Power dissipation: 108.7W, Case: TO252, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 8mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 21nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції WMO080N10HG2 за ціною від 35.29 грн до 76.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
WMO080N10HG2 WMO080N10HG2 Виробник : WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 53.7A; Idm: 340A; 108.7W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 53.7A
Pulsed drain current: 340A
Power dissipation: 108.7W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 99 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+76.22 грн
10+50.66 грн
25+45.95 грн
100+40.76 грн
250+36.61 грн
1000+35.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.