Продукція > WAYON > WMS05P06T1
WMS05P06T1

WMS05P06T1 WAYON


Виробник: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -4.5A; Idm: -18A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -4.5A
Pulsed drain current: -18A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 489 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+38.95 грн
28+14.31 грн
33+11.95 грн
100+11.40 грн
103+8.96 грн
283+8.49 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис WMS05P06T1 WAYON

Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -4.5A; Idm: -18A; 3.1W; SOP8, Type of transistor: P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -60V, Drain current: -4.5A, Pulsed drain current: -18A, Power dissipation: 3.1W, Case: SOP8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 90mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 15nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції WMS05P06T1 за ціною від 10.10 грн до 46.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
WMS05P06T1 WMS05P06T1 Виробник : WAYON Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -4.5A; Idm: -18A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -4.5A
Pulsed drain current: -18A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 489 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.75 грн
17+17.83 грн
25+14.34 грн
100+13.68 грн
103+10.76 грн
283+10.19 грн
4000+10.10 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.