WMSC008H12B1P6T WeEn Semiconductors
Виробник: WeEn Semiconductors
MOSFET Modules WMSC008H12B1P/WeEnPACK-B1/STANDARD MARKING*TRAY PACK,EPE OR BLISTER
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
199-208 дні (днів)
Мінімальна партія:
120 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис WMSC008H12B1P6T WeEn Semiconductors
Category: Transistor modules, Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 153A; Press-in PCB; 244W, Pulsed drain current: 300A, Type of semiconductor module: MOSFET transistor, Power dissipation: 244W, Technology: SiC, Drain current: 153A, Drain-source voltage: 1.2kV, Mechanical mounting: screw, Electrical mounting: Press-in PCB, Gate-source voltage: -4...18V, Semiconductor structure: transistor/transistor, On-state resistance: 8mΩ, Topology: MOSFET half-bridge; NTC thermistor.
Інші пропозиції WMSC008H12B1P6T
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| WMSC008H12B1P6T | WeEn Semiconductors |
Category: Transistor modules Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 153A; Press-in PCB; 244W Pulsed drain current: 300A Type of semiconductor module: MOSFET transistor Power dissipation: 244W Technology: SiC Drain current: 153A Drain-source voltage: 1.2kV Mechanical mounting: screw Electrical mounting: Press-in PCB Gate-source voltage: -4...18V Semiconductor structure: transistor/transistor On-state resistance: 8mΩ Topology: MOSFET half-bridge; NTC thermistor |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 16 шт В кошику од. на суму грн. |
| WMSC008H12B1P6T |
|
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Transistor modules
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 153A; Press-in PCB; 244W
Pulsed drain current: 300A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Power dissipation: 244W
Technology: SiC
Drain current: 153A
Drain-source voltage: 1.2kV
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-source voltage: -4...18V
Semiconductor structure: transistor/transistor
On-state resistance: 8mΩ
Topology: MOSFET half-bridge; NTC thermistor
Category: Transistor modules
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 153A; Press-in PCB; 244W
Pulsed drain current: 300A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Power dissipation: 244W
Technology: SiC
Drain current: 153A
Drain-source voltage: 1.2kV
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-source voltage: -4...18V
Semiconductor structure: transistor/transistor
On-state resistance: 8mΩ
Topology: MOSFET half-bridge; NTC thermistor
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику
од. на суму грн.